型号 | PHD20N06T,118 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET N-CH 55V 18A SOT428 |
PHD20N06T,118 PDF | |
代理商 | PHD20N06T,118 |
标准包装 | 2,500 |
系列 | TrenchMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 77 毫欧 @ 10A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 422pF @ 25V |
功率 - 最大 | 51W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 934056617118 PHD20N06T /T3 PHD20N06T /T3-ND |